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    160 天然优势，背靠祖国(第 1/4 页)

    dram（dynamic  random  access  memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。也是在计算机、手机等设备中最常见的基础芯片。

    三星第一块64k  dram投放市场时是1984年，比日本人足足晚了40个月。

    第一块256k  dram投放市场时是1986年，比日本人晚了24个月。

    第一块1m  dram投放市场时是1986年，比日本人只晚了12个月。

    1989年三星第一块4m  dram与日本人几乎是同时投放市场的。

    1992年，三星开始领先日本，推出全球第一个64m  dram产品。

    而同时期的日本半导体工业，从1985年开始日本经济进入泡沫化，全民炒房。

    1985年日本人砍掉了40%的设备更新投资和科技红利投入。

    1986-1987年日本人有效研发投入从4780亿日元降低到只有2650亿日元，下降幅度达80%，这就给韩国人反超的机会。

    这就是大家所熟悉的，韩国人在半导体领域的所谓的第一次“反周期投资”。

    从1992-1999年，韩国人通过持续科技红利之有效研发投入进一步夯实64m  dram胜利果实的基础上，通过压强原则，扩大对日本人的竞争优势，完成了从追赶到超越的大逆袭过程。

    1990年，16m  dram，韩国人推出的时间滞后于日本人3个月。

    1992年，64m  dram，韩国人略微领先于日本人。

    到1998年，韩国人全球第一个开发256m  dram、128m  sdram、128m  flash。

    到1999年，韩国人全球第一个开发1g  dram。

    在著名的《科技红利大时代》一书中，首次提出科技红利、有效研发投入和压强系数等科技红利的研究思想。

    从科技红利思想的角度，庞们看看韩国人又是如何通过提高压强系数，实现对日本人的逆袭。

    1992年韩国人64m  dram略微领先于日本人和米国人成功研制后，韩国人并没有停下科技红利之有效研发投入。

    1993年反而通过压强原则，重点攻击，科技红利之有效研发投入同比增长70.19%，巩固对日本人的领先优势。

    1995年韩国人再次快速提升压强系数，科技红利之有效研发投入再次大幅度提升，同比增速高达96.82%。

    1996-1997年连续两年保持高位压强系数状态。

    这才有了1998年128m  sdram、128m  flash、256m  dram、1g  dram的全球第一个推出市场，从而完美的实现大逆袭。

    第三，产业链垂直一体化，加强上游设备和电子化学品原材料的国产化。

    上世纪90年代，韩国政府主导推出总预算2000亿韩元(2.5亿美元)的半导体设备国产化项目，鼓励韩国企业投资设备和电子化学品原料供应链。

    韩国工贸部在汉城南部80公里的松炭和天安，设立两个工业园区，专门供给半导体设备厂商设厂。

    为了获取先进技术，韩国人以优厚条件招揽米国化工巨头杜邦、硅片原料巨头memc、日本dns(大日本网屏)等厂商，在韩国设立合资公司。

    由此，韩国人半导体产业链上游关键设备和电子化学品原材料初具规模。

    第四，产业链横向扩张，从存储器芯片到cpu芯片、dsp芯片等。

    以三星为例，通过与米国、欧洲企业建立联盟合作关系，三星在dram之外，获得了大量芯片产业资源。

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